台湾成功推出全球第1片8吋氮化铝LED基板

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OFweek半导体照明网：采钰科技日前于台北国际照明科技展览中，展出全世界第1片8吋晶圆级氮化铝基板制程的LED晶片，不但是台湾在LED制程成长上的一个首要里程碑，同时亦冲破以往由日本垄断LED氮化铝基板市场的场合排场。

凭仗着在半导体8吋矽晶圆制程的丰硕履历与技能根底，采钰科技在高功率LED矽基板晶圆级封装制程技能得到优秀的成新竹叫小姐,效，其所成长的LED封装产物不但具有极佳的散热特征，同时透过杰出的色温节制与可客制化的光学镜头，可充实知足客户差别化的需求。 继乐成地成长LED矽基板晶圆级封装技能以后，采钰科技与中山科学钻研院(如下简称中科院)透过经济部科专计画互助，乐成开辟出全世界第1片8吋氮化铝LED基板。

采钰科技LED奇迹组织协理张笔政暗示，今朝高功率LED黏着基板大致有矽基板与陶瓷基板，陶瓷基板又分为氧化铝基板与氮化铝基板，此中氮化铝根基的散热效益是矽基板的1.4倍，更加氧化铝基板的7倍之多。 是以氮化铝基板利用于高功率LED的散热效益显著，进而大幅晋升LED的利用寿命。 张笔政阐明，相较于矽基板，氮化铝基板可晋升LED寿命3,000~4,000小时；与氧化铝基板相较，更可超过跨过6,000~7,000小时以上。

采钰科技与中科院互助推出全世界第1片8吋氮化铝LED基板。 图为中科院化学钻研所所长王国平博士(左)、采钰立塑溶脂,科技LED奇迹组织协理张笔政(中)，和中科院化学钻研所郭养国博士(右)。

在制造本钱方面，张笔政指出，固然氮化铝基板的质料本钱较矽基板高，但因为氮化铝基板的制程步调较矽基板少，是以制程后段出产本钱约可低落30%，以全部质料加之制程的总成原本看，氮化铝基板的总本钱仍略低于矽基板。 至于相较于今朝广泛的氧化铝基板，氮化铝豪神儲值版,基板的本钱约为氧化铝基板的2.5~3倍，但将来若能藉由量产效益，氮化铝基板的本钱将可快速降低，逐步靠近氧化铝基板本钱，届时散热效益壮大的氮化铝基板将有机遇代替氧化铝基板。

中科院化学钻研所所长王国平博士暗示，氮化铝基板初期一向把握在日本业者手中，但今朝日本量产氮化铝基板的最大尺寸为4.7吋，实行室试产尺寸为5.5吋。 这次中科院透过军民通用技能履行经济部高值化学品科专计画，与采钰科技互助推出的全世界第1片8吋氮化铝LED基板，不但冲破持久被日本垄断市场的场合排场，更在技能上获得大幅领先的职位地方。

中科院化学钻研所郭养国博士暗示，日本大厂氮化铝基板的重要制程法子为刮刀成型法，制程简略，但没法制造大尺寸基板，且致密性较差。 而中科院开辟之氮化铝基板分歧于日本与其他国际大厂，采纳CIP与HIP烧结成型法，制成致密性较高的氮化铝晶柱，再将晶柱切割成片，可到达8吋晶圆级水准。 郭养国指出，更首要的是，8吋氮化铝LED基板出产制程可沿用原半导体8吋矽晶圆制程装备，大幅低落业界投资出产本钱。

王国平博士暗示，中科院与采钰科技等台湾6家厂商互助，建立「LED照明深耕技能整合开辟计画」同盟，除前述晶圆级金属氮化物基板开辟以外，并将整合白光LED技能，包含相干制程与配方、萤光粉体技能与检测。 王国平流露，今朝中科院已针对萤光粉完成专利阐发，将来至关有机遇冲破萤光粉的专利网限定，使得台湾在LED关头质料与技能自立化方面，得到更进一步的冲破与功效。